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An analytical model for the steady-state and transient characteristics of the power insulated-gate bipolar transistor 这篇文章找了几个数据库，只在Scopus上有找到，不过好像不能下载。

发布时间：2019-09-17浏览次数：4333

该文献所在期刊Solid-State Electronics收录在Elsevier 数据库中，但1995年以前的文献没有全文权限。不过玉泉校区图书馆和西溪校区图书馆都有1988年的印刷版，可用前去查阅复印。